Samsung презентовала 10-нм модуль памяти LPDDR4 на 6 ГБ
Первым устройством, которое оснастят новым чипом, может стать Galaxy Note 6.
В 2012 году японская версия Samsung Galaxy S III получила 2 ГБ «оперативки» — тогда это было настоящим сюрпризом, ведь оригинальный вариант оснащался всего 1 ГБ ОЗУ. Сейчас в мире Android-устройств наступила эра оперативной памяти объемом 6 ГБ.
Бренд Samsung не отстает от современных тенденций. В рамках мероприятия Samsung Mobile Solutions Forum, которое состоялось вчера в Шэньчжэне, Китай, компания презентовала новый модуль LPDDR4 на 6 ГБ, произведенный с использованием 10-нанометрового техпроцесса. По сравнению с существующими аналогами чип обладает не только большим объемом оперативной памяти, но и является более энергоэффективным, что позволит увеличить время автономной работы аккумулятора.
По слухам, новую технологию применят в предстоящем смартфоне Galaxy Note 6. Традиционно производитель оснащает устройства из серии Galaxy Note самыми последним аппаратными и программными средствами. Кроме того, гаджет оборудуют 5,8-дюймовым Super AMOLED-экраном с разрешением 2560 на 1440 точек и аккумулятором емкостью 4000 мАч.
Ожидается, что новинка будет представлена в августе, как и прошлогодняя модель.
© СОТОВИК